 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 105°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-70-6 |
 | | IC RF SWITCH SP5T 1GHZ 32QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-QFN (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SP5T 1GHZ 32QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-QFN (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SP5T 1GHZ 32QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-QFN (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SP5T 4GHZ 24QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 24-WFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 24-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3.8GHZ 16QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 105°C 安装类型： - 封装/外壳： 16-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 16-QFN (3x3) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3.8GHZ 16QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 105°C 安装类型： - 封装/外壳： 16-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 16-QFN (3x3) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3.8GHZ 16QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 105°C 安装类型： - 封装/外壳： 16-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 16-QFN (3x3) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 12QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 12-WFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-QFN (3x3) |
| | IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 12QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 12-WFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-QFN (3x3) |
| | IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 12QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 12-WFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-QFN (3x3) |
 | | IC RF SWITCH SP4T 8GHZ 32LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-LGA (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SP4T 8GHZ 32LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-LGA (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SP4T 8GHZ 32LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-LGA (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-TFLGA Exposed Pad 供应商器件封装： 20-LGA (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-TFLGA Exposed Pad 供应商器件封装： 20-LGA (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-TFLGA Exposed Pad 供应商器件封装： 20-LGA (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS® 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 20-QFN (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 20LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-TFLGA Exposed Pad 供应商器件封装： 20-LGA (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 20LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-TFLGA Exposed Pad 供应商器件封装： 20-LGA (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 20LGA 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 20-TFLGA Exposed Pad 供应商器件封装： 20-LGA (4x4) |
 | | IC RF SWITCH SP5T 1GHZ 32QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-QFN (5x5) |
 | | IC RF SWITCH SP5T 1GHZ 32QFN 射频开关芯片 | | | 厂家： - 系列： UltraCMOS®, HaRP™ 工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型： - 封装/外壳： 32-VFQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 32-QFN (5x5) |
