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FDR856P

概述
制造商:FairchildSemiconductor
RoHS:否
配置:SingleQuintDrainDualSource
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:5.1A
功率耗散:1800mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SuperSOT-8
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:3000
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型号 制造商 描述 购买
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