制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: MicroFET-8
集电极—射极击穿电压: 2 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 A
栅极—射极漏泄电流: 1.4 W
功率耗散: 1.4 W
封装: Reel
FDFMA2P853
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDFMA2P029Z | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | 立即购买 |
| FDFMA2P029Z | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | 立即购买 |
| FDFMA2P029Z | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | 立即购买 |
| FDFMA2P029Z-F106 | ON (安森美) | -20V -3.1A 95 O PCH ER T | 立即购买 |
| FDFMA3N109 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 | 立即购买 |