制造商型号： | FDFMA2P029Z-F106 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDFMA2P029Z-F106
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FDFMA2P029Z-F106 中文资料
数据手册PDF
FDFMA2P029Z-F106 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导（Min） - 11 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDFMA2P029Z_F106
单位重量 40 mg
FDFMA2P029Z-F106 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1667 | 2.08565 | 3476.78 |
品牌其他型号
FDFMA2P029Z-F106品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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