类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 4.75A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :510pF @ 25V
功率 - 最大:38W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 全封装(直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
FQPF10N20C
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQPF13N06L | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F | 立即购买 |
FQPF12N60T | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
FQPF10N20C | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F | 立即购买 |
FQPF11N40C | ON (安森美) | MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F | 立即购买 |
FQPF13N06 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |