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EP4SE230F29C2N

概述

产品型号

EP4SE230F29C2N

描述

集成电路FPGA 488 I/O 780FBGA

分类

集成电路(IC),嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列)

制造商

英特尔

系列

STRATIX®IV E

打包

托盘

零件状态

活性

电压-电源

0.87V?0.93V

工作温度

0°C?85°C(TJ)

包装/箱

780-BBGA,FCBGA

供应商设备包装

780-FBGA(29x29)

基本零件号

EP4SE230

特性
  • Stratix IV GX和GT器件中多达48个基于CDR的全双工收发器,分别支持高达8.5 Gbps和11.3 Gbps的数据速率。

  • 专用电路支持流行的串行协议的物理层功能,例如PCI Express(PCIe)(PIPE)Gen1和Gen2,Gbps以太网(GbE),串行RapidIO,SONET / SDH,XAUI / HiGig,(OIF)CEI-6G,SD / HD / 3G-SDI,光纤通道,SFI-5和Interlaken。

  • 具有嵌入式PCIe硬IP模块的完整PCIe协议解决方案,这些模块实现PHY-MAC层,数据链路层和事务处理层功能。

  • 可编程的发射机预加重和接收机均衡电路,可补偿物理介质中与频率有关的损耗。

  • 每个通道的典型物理介质附件(PMA)功耗分别为3.125 Gbps和100 mW,6.375 Gbps时为135 mW。

  • 每台设备72,600至813,050等效LE。

  • 7,370至33,294 Kb的增强型TriMatrix存储器,由三种RAM块大小组成,可实现真正的双端口存储器和FIFO缓冲区。

  • 高速数字信号处理(DSP)模块,最高可配置为9 x 9位,12 x 12位,18 x 18位和36 x 36位全精度乘法器,最高频率为600 MHz。

  • 每个设备最多16个全局时钟(GCLK),88个区域时钟(RCLK)和132个外围时钟(PCLK)。

  • 可编程电源技术,可在最大程度降低功耗的同时最大化设备性能。

  • 多达1,120个用户I / O引脚布置在24个模块化I / O bank中,这些模块支持广泛的单端和差分I / O标准。

  • 支持多达24个模块化I / O bank 上的高速外部存储器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM。

  • 具有串行器/解串器(SERDES),动态相位对准(DPA)和soft-CDR电路的高速LVDS I / O支持,数据速率高达1.6 Gbps。

  • 支持源同步总线标准,包括SGMII,GbE,SPI-4 阶段2(POS-PHY级别4),SFI-4.1,XSBI,UTOPIA IV,NPSI和CSIX-L1。

  • Stratix IV E器件的引脚排列,旨在允许将设计从Stratix III 迁移到Stratix IV E,而对PCB的影响最小。

参数

可编程逻辑类型

现场可编程门阵列

符合欧盟RoHS

状态

转入

最大时钟频率

800.0兆赫

JESD-30代码

S-PBGA-B780

JESD-609代码

1号

总RAM位

17544192

CLB数量

9120.0

输入数量

488.0

逻辑单元数

228000.0

输出数量

488.0

端子数

780

最低工作温度

0℃

最高工作温度

85℃

组织

9120 CLBS

峰值回流温度(℃)

245

电源

0.9,1.2 / 3,1.5,2.5

资格状态

不合格

座高

3.4毫米

子类别

现场可编程门阵列

电源电压标称

0.9伏

最小供电电压

0.87伏

最大电源电压

0.93伏

安装类型

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

其他

终端完成

锡/银/铜(Sn / Ag / Cu)

终端表格

端子间距

1.0毫米

终端位置

底部

时间@峰值回流温度最大值(秒)

40

长度

29.0毫米

宽度

29.0毫米

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装代码

BGA

包装等效代码

BGA780,28X28,40

包装形状

广场

包装形式

网格阵列

制造商包装说明

29 X 29 MM,无铅,FBGA-780