类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：280mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：100pF @ 18V
功率 - 最大：700mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
包装：散装
供应商设备封装：*
ZVP2106A
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZVP2106GTA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | 立即购买 |
| ZVP2106GTA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | 立即购买 |
| ZVP2106GTA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | 立即购买 |
| ZVP2106A | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3 | 立即购买 |
| ZVP2110A | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3 | 立即购买 |