类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 4.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：25.7nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：930pF @ 25V
功率 - 最大：1.25W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SOP
其它名称：ZXMD65P03N8TR
ZXMD65P03N8TA
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMD63C02XTC | DIODES (美台) | MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP | 立即购买 |
| ZXMD63C03XTC | DIODES (美台) | MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP | 立即购买 |
| ZXMD63N02XTC | DIODES (美台) | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP | 立即购买 |
| ZXMD63N03XTC | DIODES (美台) | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP | 立即购买 |
| ZXMD63P02XTC | DIODES (美台) | MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP | 立即购买 |