制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-12V
漏极连续电流：4.9A
功率耗散：1400mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-3
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
ZXMN2F30FHTA
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMN2F30FHTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 | 立即购买 |
| ZXMN2F30FHTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 | 立即购买 |
| ZXMN2F30FHTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 | 立即购买 |
| ZXMN2B01FTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 立即购买 |
| ZXMN2B01FTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 立即购买 |