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ZTX853STZ

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 400mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 2A, 2V
功率 - 最大:1.2W
频率 - 转换:130MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带盒 (TB)
供应商设备封装:*
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型号 制造商 描述 购买
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