产品型号 | CSD16301Q2 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 6-SON |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET? |
打包 | 切割带(CT) |
零件状态 | 活性 |
工作温度 | -55°C?150°C(TJ) |
供应商设备包装 | 6-SON |
包装/箱 | 6-SMD扁平引线 |
基本零件号 | CSD1630 |
CSD16301Q2
概述
特性
超低Q g和Q gd
低热阻
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤素
SON 2mm×2mm塑料封装
参数
制造商包装说明 | 2 X 2 MM，绿色，塑料，SON-6 |
符合REACH | 是 |
符合欧盟RoHS | 是 |
符合中国RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
雪崩能量等级(Eas) | 10.0兆焦耳 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 5.0安 |
最大漏极电流(ID) | 5.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.034欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 25.0伏 |
反馈上限(Crss) | 17.0 pF |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JESD-30代码 | R-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e3 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 6 |
操作模式 | 增强模式 |
最低工作温度 | -55℃ |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
极性/通道类型 | N通道 |
最大功耗(Abs) | 2.3瓦 |
最大脉冲漏极电流(IDM) | 20.0安 |
资格状态 | 不合格 |
子类别 | FET通用电源 |
安装类型 | 表面贴装 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 无铅 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度-最大(秒) | 未标明 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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