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CSD25401Q3

概述

产品型号

CSD25401Q3

描述

场效应管P-CH 20V 60A 8-SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET?

打包

卷带式(TR)

工作温度

-55°C?150°C(TJ)

供应商设备包装

8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

包装/箱

8电源TDFN

基本零件号

CSD2540

特性
  • 超低Qg和Qgd

  • 占地面积小

  • 薄型高度0.65mm

  • 无铅

  • 符合RoHS

  • 无卤素

参数

制造商包装说明

SON-8

符合欧盟RoHS

符合中国RoHS

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

60.0安

最大漏极电流(ID)

14.0安

最大电阻下的漏源

0.0182欧姆

DS击穿电压-最小值

20.0伏

场效应管技术

金属氧化物半导体

JESD-30代码

R-PDSO-N5

JESD-609代码

e3

元素数

1.0

端子数

5

操作模式

增强模式

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

小轮廓

峰值回流温度(℃)

260

极性/通道类型

P通道

最大功率耗散(Abs)

2.8瓦

最大脉冲漏极电流(IDM)

82.0安

子类别

其他晶体管

安装类型

表面贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

无铅

终端位置

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

附加功能

雪崩等级

引导图与功能
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型号 制造商 描述 购买
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