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MJD117

概述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
峰值直流集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
功率耗散: 20 W
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 65 C
封装: Tube
集电极连续电流: 2 A
直流电流增益 hFE 最小值: 200 @ 4 A @ 3 V or 500 @ 500m A @ 3 V or 1000 @ 2 A @ 3 V
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型号 制造商 描述 购买
MJD112G ON (安森美) TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 立即购买
NJVMJD112T4G ON (安森美) TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 立即购买
MJD117T4G ON (安森美) TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK 立即购买
MJD117T4G ON (安森美) TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK 立即购买
MJD117T4G ON (安森美) TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK 立即购买