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MMBF5460LT1

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:750mV @ 1µA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7pF @ 15V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
包装:剪切带 (CT)
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
功率 - 最大:225mW
供应商设备封装:SOT-23
其它名称:MMBF5460LT1OSCT
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型号 制造商 描述 购买
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