齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850
齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):60
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:U4
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
MMSZ5V1T1G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMSZ5231B-E3-18 | VISHAY (威世) | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 | 立即购买 |
| MMSZ5231B-7-F | DIODES (美台) | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 | 立即购买 |
| MMSZ5231B-E3-18 | VISHAY (威世) | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 | 立即购买 |
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