峰值反向电压VRRM(V):600
最大平均正向电流IO(A):1
最大全周期正向压降VF(V):1.250
最大非重复浪涌电流IFSM(A):30
最大反向电流IR(mA):0.150
封装/温度(℃):SMA/-65~175
MURA160T3G
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MURA115T3G | ON (安森美) | DIODE GEN PURP 150V 2A SMA | 立即购买 |
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MURA115T3G | ON (安森美) | DIODE GEN PURP 150V 2A SMA | 立即购买 |
MURA105T3G | ON (安森美) | DIODE GEN PURP 50V 2A SMA | 立即购买 |
MURA105T3G | ON (安森美) | DIODE GEN PURP 50V 2A SMA | 立即购买 |