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MPS650G

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):75 @ 1A, 2V
功率 - 最大:625mW
频率 - 转换:75MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装
供应商设备封装:TO-92
其它名称:MPS650GOS
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