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MMSZ18T1G

概述
齐纳击穿电压Vz最小值(V):17.100
齐纳击穿电压Vz典型值(V):18
齐纳击穿电压Vz最大值(V):18.900
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):45
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:X2
封装/温度(℃):SOD123/-65~150
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IC系列索引
MC7815ABD2TR4G MC10H643FN M95020-RDW6TP MAX4391ESA
MMBF5460LT1 MPSA06 M27C256B-15C6 M29W400DT55N6E
MAX2608EUT-T M25P64-VMF6P MV5153A3R0 MAX206CWG
MMBT3906-7 MAX414ESD MAX3093ECPE MC74VHC139DR2
MC34063AMEL MC10E1651FN MCR03EZPJ120 MAX547AEMH