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MMBT5770

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:RF 晶体管 (BJT)
系列:-
晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V
频率 - 转换:600MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:225mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):-
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
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MMBT5551LT3G ON (安森美) TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 立即购买
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