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RB521S30、RB521S30T1G、PMEG3002AEB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB521S30 RB521S30T1G PMEG3002AEB

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RB521S30  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °CON SEMICONDUCTOR  RB521S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

针脚数 2 2 2

正向电压 500mV @200mA 500mV @200mA 480 mV

耗散功率 200 mW 200 mW -

热阻 500℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA) -

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A 1 A 1 A

正向电压(Max) 500 mV 500 mV 480 mV

正向电流(Max) 0.2 A 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 -55℃ ~ 125℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 200 mA -

输出电流 - ≤200 mA -

负载电流 - 0.2 A -

极性 - Standard -

反向恢复时间 - 6 ns -

长度 1.3 mm 1.3 mm 1.25 mm

宽度 0.9 mm 0.9 mm 0.85 mm

高度 0.7 mm 0.7 mm 0.65 mm

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -