PMEG3002AEB
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NXP
恩智浦
分立器件
200mA 至 500mA，NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器，NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 420mV/0.42V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Low VF MEGA Schottky barrier diode • Forward current: 0.2 A • Reverse voltage: 30 V • Very low forward voltage • Ultra small SMD package. • Ultra high-speed switching • High efficiency DC/DC conversion • Voltage clamping • Inverse-polarity protection • Low voltage rectification • Low power consumption applications 描述与应用| 低VF MEGA肖特基势垒 •正向电流：0.2 A •反向耐压在：30 V •非常低正向电压 •超小型SMD封装。 •超高速开关 •高效率DC/ DC转换 •电压钳位 •反极性保护 •低电压整改 •低功耗应用