BC856BW、BC856BW-7、BC856BWT1G对比区别

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型号 BC856BW BC856BW-7 BC856BWT1G

描述 Transistor: PNP; bipolar; 80V; 100mA; 200mW; SOT323Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLARON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323 SOT-323 SC-70-3

频率 - - 100 MHz

额定电压(DC) - - -65.0 V

额定电流 - - -100 mA

针脚数 - - 3

极性 - PNP PNP

耗散功率 200 mW - 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 150 mW

直流电流增益(hFE) - - 150

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 150 mW

增益频宽积 100 MHz - -

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 0.9 mm

封装 SOT-323 SOT-323 SC-70-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99