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MJD31C-13、MJD31CQ-13、MJD31CRLG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31C-13 MJD31CQ-13 MJD31CRLG

描述 MJD31C Series 100V 3A 1.5W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK)Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3Pin(2+Tab) TO-252 T/RON SEMICONDUCTOR  MJD31CRLG  双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定功率 1.56 W - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 3.9 W 1.5 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 40 @3A, 4V - -

额定功率(Max) 1.56 W 15 W 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW 1560 mW

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 3.00 A

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 10

长度 6.8 mm - -

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99