MJD31CQ-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MJD31CQ-13中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MJD31CQ-13引脚图与封装图 
MJD31CQ-13引脚图
MJD31CQ-13封装图
MJD31CQ-13封装焊盘图
在线购买MJD31CQ-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD31CQ-13 | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3Pin2+Tab TO-252 T/R | 搜索库存 |
替代型号MJD31CQ-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD31CQ-13 品牌： Diodes 美台 封装： TO-252-3 NPN | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3Pin2+Tab TO-252 T/R | 当前型号 |
| 型号： MJD31C-13 品牌： 美台 封装： D-Pak NPN 1500mW | 类似代替 | MJD31C Series 100V 3A 1.5W NPN High Voltage Transistor - TO252 DPAK | MJD31CQ-13和MJD31C-13的区别 |