BSP43,115、BZX79-B3V6,113、BCP56T1G对比区别

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型号 BSP43,115 BZX79-B3V6,113 BCP56T1G

描述 NXP  BSP43,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFENXP  BZX79-B3V6,113  单管二极管 齐纳, 3.6 V, 400 mW, DO-204AH, 2 %, 2 引脚, 200 °CON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管齐纳二极管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 4 2 4

封装 TO-261-4 DO-204AH TO-261-4

频率 100 MHz - 130 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 1.00 A

针脚数 4 2 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.3 W 400 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 5V - 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.3 W 400 mW 1.5 W

直流电流增益(hFE) 30 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1300 mW - 1.5 W

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 3.6 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

长度 - - 6.5 mm

宽度 3.7 mm - 3.5 mm

高度 1.7 mm - 1.57 mm

封装 TO-261-4 DO-204AH TO-261-4

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 - -2.4 MV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99