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BSP43,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BSP43,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFE

The is a NPN Medium Power Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the telephony and general industrial applications, thick and thin-film circuits.

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High current
.
Low voltage
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PNP complements are BSP31, BSP32 and BSP33
BSP43,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP43,115引脚图与封装图
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在线购买BSP43,115
型号 制造商 描述 购买
BSP43,115 NXP 恩智浦 NXP  BSP43,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFE 搜索库存
替代型号BSP43,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP43,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-73 NPN 1300mW

当前型号

NXP  BSP43,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFE

当前型号

型号: BCP56T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE

BSP43,115和BCP56T1G的区别

型号: BCP56T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

BSP43,115和BCP56T3G的区别

型号: BZX79-B3V6,113

品牌: 恩智浦

封装: ALF2

功能相似

NXP  BZX79-B3V6,113  单管二极管 齐纳, 3.6 V, 400 mW, DO-204AH, 2 %, 2 引脚, 200 °C

BSP43,115和BZX79-B3V6,113的区别