频率 100 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSP43,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSP43,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP43,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-73 NPN 1300mW | 当前型号 | NXP BSP43,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFE | 当前型号 | |
型号: BCP56T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56T1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE | BSP43,115和BCP56T1G的区别 | |
型号: BCP56T3G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新 | BSP43,115和BCP56T3G的区别 | |
型号: BZX79-B3V6,113 品牌: 恩智浦 封装: ALF2 | 功能相似 | NXP BZX79-B3V6,113 单管二极管 齐纳, 3.6 V, 400 mW, DO-204AH, 2 %, 2 引脚, 200 °C | BSP43,115和BZX79-B3V6,113的区别 |