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BQ2201PN、BQ2201SNTR、BQ2201PNE4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ2201PN BQ2201SNTR BQ2201PNE4

描述 SRAM控制单元存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller ICNonvolatile Controller 4.5V to 5.5V 8Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电源监控芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 PDIP-8

安装方式 Through Hole - Through Hole

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V

输出电流 0.16 A 0.16 A 0.16 A

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

高度 - 1.5 mm -

封装 PDIP-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15