BD441、BD441G对比区别
描述 NPN功率晶体管 NPN power transistorON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-126-3 TO-225-3
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 36 W 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
直流电流增益(hFE) 140 15
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V
额定功率(Max) 36 W 36 W
工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW
频率 - 3 MHz
额定电压(DC) - 80.0 V
额定电流 - 4.00 A
增益频宽积 - 3 MHz
集电极最大允许电流 - 4A
封装 TO-126-3 TO-225-3
长度 - 7.74 mm
宽度 - 2.66 mm
高度 - 11.04 mm
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Bulk
ECCN代码 - EAR99