BD441中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V
额定功率Max 36 W
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BD441引脚图与封装图 
BD441引脚图
BD441封装图
BD441封装焊盘图
替代型号BD441
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD441 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-225AA NPN 36W | 当前型号 | NPN功率晶体管 NPN power transistor | 当前型号 |
| 型号： TIP48G 品牌： 安森美 封装： TO220-3 NPN 300V 1A 40000mW | 功能相似 | TIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220AB | BD441和TIP48G的区别 |
| 型号： BD441G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 80V 4A 36W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新 | BD441和BD441G的区别 |
| 型号： BD436S 品牌： 安森美 封装： TO-225AA | 功能相似 | TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126 | BD441和BD436S的区别 |