FQB34P10TM、FQB34P10TM_F085、IRF5210STRLPBF对比区别

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型号 FQB34P10TM FQB34P10TM_F085 IRF5210STRLPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 VP 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 3.75 W 3.75 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 33.5 mA 33.5A -40.0 A

上升时间 250 ns 250 ns -

输入电容(Ciss) 2910pF @25V(Vds) 2910pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)

下降时间 210 ns 210 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 155W (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) -

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -34.0 A - -

针脚数 2 - 3

漏源极电阻 0.049 Ω - 0.06 Ω

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

额定功率(Max) 3.75 W - 3.1 W

产品系列 - - IRF5210S

阈值电压 - - 4 V

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -