SSR1N60BTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SSR1N60BTM中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 12.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 900 mA
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 215pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SSR1N60BTM引脚图与封装图
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在线购买SSR1N60BTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSR1N60BTM | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 600V 900mA | 搜索库存 |
替代型号SSR1N60BTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSR1N60BTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 900mA 12ohms | 当前型号 | N沟道 600V 900mA | 当前型号 |
| 型号： SSR1N60BTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 900mA 12ohms | 完全替代 | N沟道 600V 900mA | SSR1N60BTM和SSR1N60BTF的区别 |
| 型号： FQD1N60TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 1A 11.5ohms | 类似代替 | N沟道 600V 1A | SSR1N60BTM和FQD1N60TF的区别 |
| 型号： FQD1N60TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 1A 11.5ohms | 类似代替 | N沟道 600V 1A | SSR1N60BTM和FQD1N60TM的区别 |