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LM385BZ-1.2、LM385BZ-1.2G、LM385BLPR-1-2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BZ-1.2 LM385BZ-1.2G LM385BLPR-1-2

描述 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference DiodesON SEMICONDUCTOR  LM385BZ-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, TO-226AA-31.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 1 1 1

输出电压(Max) - 1.235 V 1.25 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

精度 - ±1 % ±1 %

额定电压 - - 1.235 V

额定电流 - 10.0 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

击穿电压 - 1.235 V -

供电电流 - 8 μA -

针脚数 - 3 -

长度 5.2 mm 5.2 mm 5.21 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.34 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

温度系数 ±80 ppm/℃ ±80 ppm/℃ ±20 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -