MUN5334DW1T1G、MUN5335DW1T1G、MUN5331DW1T1G对比区别

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型号 MUN5334DW1T1G MUN5335DW1T1G MUN5331DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-6 SC-88-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 0.385 W 187 mW 187 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 8 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 8 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - 140 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW 385 mW

通道数 - - 2

长度 - 2 mm 2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.25 mm

高度 - 0.9 mm 0.9 mm

封装 SC-88-6 SC-70-6 SC-88-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99