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TLV2316IDGKR、TLV2316IDGKT、AD8602DRZ对比区别

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型号 TLV2316IDGKR TLV2316IDGKT AD8602DRZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKR  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKT  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新ANALOG DEVICES  AD8602DRZ  运算放大器, 双路, 8.2 MHz, 2个放大器, 5.2 V/µs, 2.7V 至 5.5V, NSOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSSOP-8 VSSOP-8 SOIC-8

供电电流 400 µA 400 µA 750 µA

电路数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 72 dB 72 dB 56 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 10 MHz 10 MHz 8.2 MHz

转换速率 6.00 V/μs 6.00 V/μs 5.20 V/μs

增益频宽积 10 MHz 10 MHz 8.4 MHz

输入补偿电压 750 µV 750 µV 1.3 mV

输入偏置电流 10 pA 10 pA 0.2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 72 dB 72 dB 56 dB

电源电压 1.8V ~ 5.5V - 2.7V ~ 5.5V

输出电流 - - 50mA @5V

输入阻抗 - - 1.00 TΩ

增益带宽 - - 8.4 MHz

电源电压(Max) - - 5.5V ~ 6V

封装 VSSOP-8 VSSOP-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 - - No