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TLV2316IDGKT

TLV2316IDGKT

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKT  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新

General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-VSSOP


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8VSSOP


立创商城:
TLV2316IDGKT


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 10-MHz, Low-Noise, RRIO, CMOS Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 8-VSSOP -40 to 125


e络盟:
运算放大器, RRIO, 2个放大器, 10 MHz, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin VSSOP T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±2.75V 5.5V 8-Pin SOIC


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin VSSOP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKT  OP-AMP, DUAL, 10MHZ, 6V/US, VSSOP-8


TLV2316IDGKT中文资料参数规格
技术参数

供电电流 400 µA

电路数 2

针脚数 8

共模抑制比 72 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 10 MHz

转换速率 6.00 V/μs

增益频宽积 10 MHz

输入补偿电压 750 µV

输入偏置电流 10 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 72 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSSOP-8

外形尺寸

封装 VSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

TLV2316IDGKT引脚图与封装图
TLV2316IDGKT引脚图

TLV2316IDGKT引脚图

TLV2316IDGKT封装图

TLV2316IDGKT封装图

TLV2316IDGKT封装焊盘图

TLV2316IDGKT封装焊盘图

在线购买TLV2316IDGKT
型号 制造商 描述 购买
TLV2316IDGKT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKT  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新 搜索库存
替代型号TLV2316IDGKT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLV2316IDGKT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSSOP 10MHz

当前型号

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当前型号

型号: TLV2316IDGKR

品牌: 德州仪器

封装: VSSOP 10MHz

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKR  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新

TLV2316IDGKT和TLV2316IDGKR的区别