FQB50N06LTM、STB55NF06LT4、FDD5670对比区别
型号 FQB50N06LTM STB55NF06LT4 FDD5670
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 52.4 A 55.0 A 52.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.017 Ω 0.014 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 121 W 95 W 83 W
阈值电压 2.5 V 1.7 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 52.4 A 220 A 52.0 A
上升时间 380 ns 100 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1630pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 2739pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 3.75 W 95 W 1.6 W
下降时间 145 ns 20 ns 24 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 121W (Tc) 95W (Tc) 83 W
通道数 - 1 1
输入电容 - - 2.74 nF
栅电荷 - - 52.0 nC
额定功率 - 95 W -
长度 10.67 mm 10.75 mm 6.73 mm
宽度 9.65 mm 10.4 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 2.39 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99