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FDD5670

FDD5670

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 60V 52A Ta 3.8W Ta, 83W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


立创商城:
N沟道 60V 52A


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 52A; 83W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK


FDD5670中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 52.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 2.74 nF

栅电荷 52.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 52.0 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2739pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD5670引脚图与封装图
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在线购买FDD5670
型号 制造商 描述 购买
FDD5670 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDD5670
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDD5670

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 60V 52A 12mohms 2.74nF

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： FQB50N06LTM

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252-3 N-Channel 60V 52.4A 21mohms

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB50N06LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V

FDD5670和FQB50N06LTM的区别

型号： STD60NF06T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FDD5670和STD60NF06T4的区别

型号： STD35NF06LT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 17.5A 16mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD35NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V

FDD5670和STD35NF06LT4的区别