锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FQB50N06LTM

FQB50N06LTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB50N06LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

.
100% Avalanche tested
.
24.5nC Typical low gate charge
.
90pF Typical low Crss
FQB50N06LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 52.4 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 121 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 52.4 A

上升时间 380 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 145 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 121W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB50N06LTM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQB50N06LTM
型号 制造商 描述 购买
FQB50N06LTM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB50N06LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FQB50N06LTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQB50N06LTM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 N-Channel 60V 52.4A 21mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB50N06LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: FDD5670

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 60V 52A 12mohms 2.74nF

类似代替

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQB50N06LTM和FDD5670的区别

型号: FQB50N06TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 N-Channel 60V 50A 22mohms

类似代替

QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQB50N06LTM和FQB50N06TM的区别

型号: STB55NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 30V 220A 14mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB55NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V

FQB50N06LTM和STB55NF06LT4的区别