MC100EL11DR2、SN65EL11DR、MC10EL11DG对比区别
型号 MC100EL11DR2 SN65EL11DR MC10EL11DG
描述 5.0 V ECL 1 ： 2差分扇出缓冲器 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout BufferMC10EL11 ECL 系列 5.7 V 1.5 GHz 表面贴装 1:2 差分扇出 缓冲器 - SOIC-8
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 8 - 8
电路数 - 1 1
耗散功率 - 840 mW -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃
电源电压 - 4.2V ~ 5.7V 4.2V ~ 5.7V
输出接口数 4 - 2
频率 - - 1.5 GHz
电源电压(DC) - - 4.20V (min)
无卤素状态 - - Halogen Free
供电电流 - - 26 mA
通道数 - - 1
输入电流 - - 26.0 mA
电源电压(Max) - - 5.7 V
电源电压(Min) - - 4.2 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99