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MMUN2113LT1、MUN2113T1、MMUN2114LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2113LT1 MUN2113T1 MMUN2114LT1G

描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMUN2114LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 246 mW - 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 246 mW - 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW - 400 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃