MMUN2113LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 246 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMUN2113LT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMUN2113LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2113LT1 | ON Semiconductor 安森美 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MMUN2113LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2113LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 当前型号 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： MUN2113T1 品牌： 安森美 封装： SC-59 PNP 50V 100mA | 完全替代 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | MMUN2113LT1和MUN2113T1的区别 |
| 型号： SMUN2113T1 品牌： 安森美 封装： SC59 PNP | 完全替代 | SC-59 PNP 50V 100mA | MMUN2113LT1和SMUN2113T1的区别 |