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STP28N65M2、TK17E65W,S1X、TK20E60U对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP28N65M2 TK17E65W,S1X TK20E60U

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3Pin TO-220TOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.15 Ω - 0.19 Ω

耗散功率 170 W 165W (Tc) 190 W

阈值电压 3 V - 3 V

输入电容 1440 pF - -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

上升时间 10 ns 15 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 1440pF @100V(Vds) 1800pF @300V(Vds) -

下降时间 8.8 ns 6 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 170W (Tc) 165W (Tc) -

极性 - - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - - 20A

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 15.75 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

香港进出口证 - - NLR