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TK20E60U
Toshiba 东芝 晶体管

TOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V

The is a N-channel enhancement-mode Silicon MOSFET suitable for switching regulator applications.

.
Low drain-source ON resistance
.
High forward transfer admittance
.
Low leakage current
.
Enhancement-mode

Using continuously under heavy loads may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions are within the absolute maximum ratings.

TK20E60U中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 40 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

香港进出口证 NLR

TK20E60U引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TK20E60U Toshiba 东芝 TOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号TK20E60U
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TK20E60U

品牌: Toshiba 东芝

封装: TO-220 N-Channel 600V 20A

当前型号

TOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: STP20NM60

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 600V 20A 290mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V

TK20E60U和STP20NM60的区别

型号: STB28N65M2

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 650V 20A

功能相似

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

TK20E60U和STB28N65M2的区别

型号: STP28N65M2

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3

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