针脚数 3
漏源极电阻 0.19 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 40 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/06/15
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK20E60U | Toshiba 东芝 | TOSHIBA TK20E60U 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TK20E60U 品牌: Toshiba 东芝 封装: TO-220 N-Channel 600V 20A | 当前型号 | TOSHIBA TK20E60U 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: STP20NM60 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 600V 20A 290mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V | TK20E60U和STP20NM60的区别 | |
型号: STB28N65M2 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-CH 650V 20A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | TK20E60U和STB28N65M2的区别 | |
型号: STP28N65M2 品牌: 意法半导体 封装: TO-220-3 | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | TK20E60U和STP28N65M2的区别 |