TK17E65W,S1X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK17E65W,S1X中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 165W Tc
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1800pF @300VVds
下降时间 6 ns
耗散功率Max 165W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TK17E65W,S1X引脚图与封装图
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在线购买TK17E65W,S1X
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3Pin TO-220 | 搜索库存 |
替代型号TK17E65W,S1X
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TK17E65W,S1X 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3Pin TO-220 | 当前型号 |
| 型号： STP28N65M2 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | TK17E65W,S1X和STP28N65M2的区别 |