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JAN2N6251、JANTX2N6277、2N6284G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6251 JANTX2N6277 2N6284G

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  2N6284G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 150 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 6 @10A, 3V 30 @20A, 4V 750 @10A, 3V

额定功率(Max) 5.5 W 250 W 160 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW 250000 mW 160000 mW

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 20.0 A

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 20 A

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 250 W 160 W

集电极最大允许电流 - 50A 20A

最大电流放大倍数(hFE) - - 18000

直流电流增益(hFE) - - 100

输入电压 - - 5 V

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99