JAN2N6251
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6251中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 350 V
最小电流放大倍数hFE 6 @10A, 3V
额定功率Max 5.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 6000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6251引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6251
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6251 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6277 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN 250000mW | 类似代替 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6251和JANTX2N6277的区别 |
| 型号： 2N6284G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 100V 20A 160000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6284G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新 | JAN2N6251和2N6284G的区别 |
