PHD38N02LT,118、PHB38N02LT,118、NTD20N03L27T4G对比区别

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型号 PHD38N02LT,118 PHB38N02LT,118 NTD20N03L27T4G

描述 DPAK N-CH 20V 44.7AD2PAK N-CH 20V 44.7AON SEMICONDUCTOR  NTD20N03L27T4G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 16 mΩ 0.023 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 57.6 W 57.6 W 74 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 - 20 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 44.7A 44.7A 20.0 A

上升时间 - 12.5 ns 137 ns

输入电容(Ciss) 800pF @20V(Vds) 800pF @20V(Vds) 1260pF @25V(Vds)

下降时间 - 23 ns 31 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57.6W (Tc) 57.6W (Tc) 1.75W (Ta), 74W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 20.0 A

针脚数 - - 4

阈值电压 - - 1.6 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) 57.6 W - 1.75 W

长度 - 10.3 mm 6.73 mm

宽度 - 9.4 mm 6.22 mm

高度 - 4.5 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99