PHD38N02LT,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHD38N02LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 57.6 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 44.7A
输入电容Ciss 800pF @20VVds
额定功率Max 57.6 W
耗散功率Max 57.6W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHD38N02LT,118引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD38N02LT,118 | NXP 恩智浦 | DPAK N-CH 20V 44.7A | 搜索库存 |
替代型号PHD38N02LT,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHD38N02LT,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： DPAK N-CH 20V 44.7A | 当前型号 | DPAK N-CH 20V 44.7A | 当前型号 |
| 型号： PHD38N02LT 品牌： 恩智浦 封装： TO-252-3 N-CH 20V 44.7A | 完全替代 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | PHD38N02LT,118和PHD38N02LT的区别 |
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