NTD20N03L27T4G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTD20N03L27T4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 137 ns
输入电容Ciss 1260pF @25VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Ta, 74W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
NTD20N03L27T4G引脚图与封装图 
NTD20N03L27T4G引脚图
NTD20N03L27T4G封装图
NTD20N03L27T4G封装焊盘图
在线购买NTD20N03L27T4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTD20N03L27T4G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V VBRDSS | 搜索库存 |
替代型号NTD20N03L27T4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTD20N03L27T4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 N-Channel 20V 20A 27mohms | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V VBRDSS | 当前型号 |
| 型号： NTD20N03L27-1G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 30V 20A 27mohms 1.26nF | 类似代替 | 20A,30V,N沟道MOSFET | NTD20N03L27T4G和NTD20N03L27-1G的区别 |
| 型号： NTD20N03L27G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 30V 20A 27mohms 1.26nF | 类似代替 | 功率MOSFET Power MOSFET | NTD20N03L27T4G和NTD20N03L27G的区别 |
| 型号： NTD20N03L27T4 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 30V 20A 27mohms | 类似代替 | 功率MOSFET Power MOSFET | NTD20N03L27T4G和NTD20N03L27T4的区别 |