IPI65R190C6、SPI20N65C3、IPI65R190C6XKSA1对比区别
型号 IPI65R190C6 SPI20N65C3 IPI65R190C6XKSA1
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt ratedInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 20.7 A -
极性 N-CH N-CH N-CH
输入电容 - 2.40 nF -
栅电荷 - 114 nC -
漏源极电压(Vds) 700 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.7 A 20.2A
上升时间 12 ns 5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1620pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 208 W -
下降时间 10 ns 4.5 ns 10 ns
额定功率 - - 151 W
耗散功率 151 W - 151W (Tc)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 151 W - 151W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 190 mΩ - -
漏源击穿电压 700 V - -
长度 10.2 mm 10.2 mm 10.36 mm
宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.57 mm
高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅